Nexperia veröffentlicht führende

Nijmegen, 20. April 2023: Nexperia, der Experte für essentielle Halbleiter, stellte heute eine 650-V-Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) vor, die für Leistungsanwendungen entwickelt wurde, die ultrahohe Leistung, geringe Verluste und hohe Effizienz erfordern. Die 10 A, 650 V SiC-Schottky-Diode ist ein Bauteil in Industriequalität, das den Herausforderungen anspruchsvoller Hochspannungs- und Hochstromanwendungen gerecht wird. Dazu gehören Schaltnetzteile, AC-DC- und DC-DC-Wandler, Batterieladeinfrastruktur, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Photovoltaik-Wechselrichter und ermöglichen einen nachhaltigeren Betrieb. Rechenzentren, die beispielsweise mit Netzteilen ausgestattet sind, die auf der SiC-Schottky-Diode PSC1065K von Nexperia basieren, sind besser in der Lage, strenge Energieeffizienzstandards zu erfüllen, als solche, die ausschließlich siliziumbasierte Lösungen verwenden.

Der PSC1065K bietet Spitzenleistung mit temperaturunabhängigem kapazitivem Schalten und Null-Erholungsverhalten, was in einem hervorragenden Gütefaktor (QC x VF) gipfelt. Seine hervorragende Schaltleistung ist nahezu unabhängig von Strom- und Schaltgeschwindigkeitsschwankungen. Die kombinierte PiN-Schottky-Struktur (MPS) des PSC1065K bietet zusätzliche Vorteile, wie beispielsweise eine hervorragende Robustheit gegenüber Stoßströmen, die den Bedarf an zusätzlichen Schutzschaltungen überflüssig macht. Diese Funktionen reduzieren die Systemkomplexität erheblich und ermöglichen Hardware-Designern eine höhere Effizienz mit kleineren Formfaktoren in robusten Hochleistungsanwendungen. Darüber hinaus können sich Designer auf den bewährten Ruf von Nexperia als Lieferant hochwertiger Produkte in einer Reihe von Halbleitertechnologien verlassen.

Diese SiC-Schottky-Diode ist in einem Real-2-Pin (R2P) TO-220-2 Through-Hole-Leistungskunststoffgehäuse gekapselt. Zu den weiteren Gehäuseoptionen gehören die Oberflächenmontage (DPAK R2P und D2PAK R2P) und die Durchsteckmontage (TO-247-2) mit einer echten 2-Pin-Konfiguration, die die Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen bei Temperaturen bis zu 175 °C erhöht.

Katrin Feurle, Senior Director der Produktgruppe SiC bei Nexperia, fügt hinzu: „Wir sind stolz darauf, eine leistungsstarke SiC-Schottky-Diode anbieten zu können, die zu den Spitzenreitern der derzeit verfügbaren Lösungen zählt. In einer zunehmend energiebewussten Welt bringen wir sie mit.“ größere Auswahl und Verfügbarkeit auf dem Markt, da die Nachfrage nach großvolumigen, hocheffizienten Anwendungen deutlich steigt.“

Nexperia plant, sein Portfolio an SiC-Dioden kontinuierlich um Teile in Automobilqualität zu erweitern, die bei Spannungen von 650 V und 1200 V mit Strömen im Bereich von 6 bis 20 A arbeiten. Muster und Produktionsstückzahlen der neuen SiC-Dioden sind ab sofort verfügbar.

Um mehr über die neuen 650-V-SiC-Schottky-Dioden von Nexperia zu erfahren, besuchen Sie: www.nexperia.com/sic_diodes

Sie können auch mit unseren Blog-Beiträgen „Warum nicht alle SiC-Schottky-Dioden gleich sind“ und „8 Gründe, warum Siliziumkarbid-Dioden ihre Silizium-Kollegen übertreffen“ tiefer eintauchen.

Einen Vergleich des PSC1065K von Nexperia mit bestehenden MPS- und JBS-Gegenstücken der Spitzenklasse finden Sie in den folgenden Diagrammen: • Schaltverhalten • Effizienz in der Power Factor Correction (PFC)-Topologie • Hervorragender Gütefaktor

Über Nexperia

Nexperia ist ein führender Experte für die Massenproduktion wichtiger Halbleiter, Komponenten, die für jedes elektronische Design auf der Welt benötigt werden. Das umfangreiche Portfolio des Unternehmens umfasst Dioden, Bipolartransistoren, ESD-Schutzgeräte, MOSFETs, GaN-FETs sowie Analog- und Logik-ICs. Nexperia hat seinen Hauptsitz im niederländischen Nijmegen und versendet jährlich mehr als 100 Milliarden Produkte und erfüllt dabei die strengen Standards der Automobilindustrie. Diese Produkte gelten als Maßstab für Effizienz – in Bezug auf Prozess, Größe, Leistung und Leistung – mit branchenführenden kleinen Paketen, die wertvolle Energie und Platz sparen.